高純石墨的導電性能與其獨特的層狀晶體結構存在直接關聯。在理想晶體中，碳原子以sp2雜化形成蜂窩狀六元環，層內碳碳鍵長約0.142nm，鍵能高達524kJ/mol，這種強共價鍵結構為電子遷移提供了通道。而層間距0.335nm的范德華力作用，使得不同基面間的電子傳輸需要克服更高能壘，這種各向異性特征導致其面內電導率通常比垂直方向高出3個數量級。

　　晶體缺陷對導電性能的影響不容忽視。實驗數據顯示，當石墨純度從99%提升到99.99%時，其室溫電阻率可降低約40%。這是因為雜質原子會破壞sp2雜化軌道的連續性，形成載流子散射中心。特別值得注意的是，晶界處的懸空鍵會捕獲自由電子，這也是工業上通過高溫石墨化處理(2800℃以上)來修復晶體缺陷的理論依據。

　　溫度因素對導電行為呈現雙重效應。在250K以下溫度區間，石墨表現出金屬導電特性，電阻率隨溫度升高而增大;超過該臨界溫度后則轉為半導體特性，這與聲子散射主導的載流子遷移機制有關。航空航天領域應用的超細顆粒石墨材料，其室溫電阻率可控制在8-12μΩ·m范圍，這種穩定性得益于高度取向的晶體結構。

　　現代表征技術為研究提供了新視角。同步輻射X射線衍射證實，經過區域熔煉提純的石墨樣品，其(002)晶面衍射峰半高寬可比常規材料縮小30%，對應著更完整的晶體周期性結構。掃描隧道顯微鏡觀測則直觀展示了石墨烯層邊緣的電子態密度分布，這些微觀觀測數據為理解宏觀導電性能差異提供了理論基礎。

　　在半導體制造裝備中，高純石墨部件的電阻均勻性直接影響工藝穩定性。實際應用時需綜合考慮晶體取向、顆粒尺寸和熱處理歷史等因素，例如軸向熱解石墨由于特殊的生長方式，其面內電阻率各向異性比可達到1:5.這種特性在特定電磁場環境下具有應用價值。